在即将召开的“2006年IEEE国际固体电路会议（ISSCC 2006）”上，将会有结构独特的CMOS传感器进行发表。比如，索尼的传感器采用了和普通方法相反、向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术（演讲序号：16.8）。可将开口率（光电转换部分在一个像素中所占的面积比例）提高至近100%。

  

   试制的CMOS传感器像素间隔为3.45μm，在采用背面照射技术的产品中较小。与不使用背面照射技术时相比，对于550nm的光线，感光度提高了34%。设计工艺为0.25μm，包括1层多晶硅和3层布线层。另一个特点是配置布线的位置自由度较大。

 

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