日半导体三巨头联手开发尖端产品

作者：全球MRO综合服务商    仪器仪表行业新闻来源：全球MRO仪器仪表交易网    点击数：    更新时间：2007/5/22

日半导体三巨头联手开发尖端产品     型号：      厂商：

日半导体三巨头联手开发尖端产品

 

 

 

    日本半导体三巨头日立、东芝和瑞萨科技周三达成协议，准备在明年1月成立一家筹备公司，考虑合作生产尖端半导体产品的可行性。

 

　　据《日本经济新闻》报道，筹备公司的注册资金达数亿日元，除了调查合作生产的可行性等问题，还将制定生产计划。三家公司的终极目标是在2007年开始生产数字家电的“心脏元件”———新一代系统大规模集成电路(LSI)，工艺水平达到65纳米以下。

 

　　该计划的实施是为了更好应对来自美国和韩国同行的竞争。为改变在半导体领域的颓势，日本国内主要电子企业从今年秋季开始纷纷采取联合的方式，除了可以加强技术力量外，还可共同分担巨额的开发及生产成本。以新一代LSI为例，开发费用将高达1000亿-3000亿日元，这笔投资绝不是单个公司所能承受的。

 

　　新公司预计会选择东芝在日本西南部大分县的工厂，或瑞萨科技在东京北部茨城县的工厂作为生产基地。瑞萨科技是日立和三菱电机成立的芯片合资企业，目前仅次于英特尔和三星电子之后，位列全球第三大半导体供应商。

 

　　三巨头还将呼吁松下、NEC等日本电子企业共同参与合作，并希望和它们信息共享。日本芯片制造业曾有过联合生产90纳米芯片的计划，但最终因各大厂商选择单干而中途放弃。