TI推出高性能数字隔离器，抗磁干扰能力更强

作者：全球MRO综合服务商    仪器仪表行业新闻来源：全球MRO仪器仪表交易网    点击数：    更新时间：2007/5/22

TI推出高性能数字隔离器，抗磁干扰能力更强     型号：      厂商：

TI推出高性能数字隔离器，抗磁干扰能力更强

 

 

 

　  德州仪器(TI)近期宣布推出系列高性能数字隔离器，该产品集成的片上电容可实现更快速的数据传输和更高的信号完整性。据称，这些电容式隔离器具有高度可靠性和高数据传输速率，其抗磁干扰能力比现有电感器器件至少提高6倍，且功耗较高性能光学耦合器降低了60%，适用于工厂自动化、过程控制以及数据采集系统等有干扰的高电压应用领域。

　　据介绍，ISO721与ISO721M具备高性能数据传输和电路保护功能，可实现高达560伏的工作电压隔离，或承受4,000伏的瞬态峰值过压。ISO721M适用于要求快速传输数字数据且系统关联噪声较低的应用领域。而ISO721灵活性更高、稳定性更强，适用于在有干扰的环境下传输数据。上述器件符合美国保险商实验室(UL1577)、国际电工委员会(IEC60747-5-2)以及加拿大标准协会(CSAComponentAcceptanceNotice5A)制定的有关隔离器标准。

　　TI称，该款隔离器采用片上高电压电容器，可将数据传输速度提高三倍，而功耗低于通用的高性能光耦合器。此外，对常发生于工业环境且会损坏信号完整性的外部磁场，TI电容技术还具备卓越的抗电磁干扰的能力。该器件还能避免因电压快速瞬变造成的数据失真，最小保护水平为电压瞬变率为25KV/us时数据无失真。

　　ISO721与ISO721M采用半导体级二氧化硅电介质，这种稳定的高性能绝缘体具有高度的可靠性和耐用性，而这正是工业应用的关键要求，因为在工业应用环境下，不提供足够的保护，电压冲击就很可能影响器件的使用寿命。在典型的工作电压条件下，该器件的预期使用寿命一般超过25年。