中，由于开关功率器件容量较大，因此，需要一定的驱动功率，而且，由于主电路中干扰信号很强，对驱动电路抗干扰和隔离噪声的能力也有较高的要求。对IGBT驱动电路的一般要求如下。     1）关于栅极驱动电压    IGBT开通时，正向栅极电压的值应足以使IGBT完全饱和，并使通态损耗减至最小，同时，也应限制短路电流和它所带来的功率应力。在任何情况下，开通时的栅极驱动电压，应该在12～20V之间。当栅极电压为零时，IGBT处于断态。但是，为了保证IGBT在集电极—发射极电压上出现dv/dt噪声时仍保持关断，必须在栅极上施加一个反向偏压，采用反向偏压还减少了关断损耗。反向偏压应该在－5V～－15V之间。     2）栅极串联电阻（R_g）    选择适当的栅极串联电阻对IGBT栅极驱动相当重要。IGBT的开通和关断是通过栅极电路的充放电来实现的，因此，栅极电阻值将对IGBT的动态特性产生极大的影响。数值较小的电阻使栅极电容的充放电较快，从而减小开关时间和开关损耗。所以，较小的栅极电阻增强了器件工作的耐固性（可避免dv/dt带来的误导通），但与此同时，它只能承受较小的栅极噪声，并可能导致栅极—发射极电容和栅极驱动导线的寄生电感产生振荡。     3）栅极驱动功率    IGBT的开关要消耗来自栅极电源的功率，其功率受栅极驱动负、正偏置电压的差值ΔV_GE，栅极总电荷Q_G和工作频率f_s的影响。栅极电源的最大峰值电流I_GPK为     I_GPK=±   

上一页  [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] 下一页

 

本文内容由全球仪器仪表MRO网_捌零零http://www.80017.cn/ 提供！

注:如果你的电脑不可以直接下载,请右键点击以上文字或'免费下载'图标,然后选目标另存为,进行下载保存

(本文来源：全球仪器仪表MRO网_捌零零)

• 上一篇仪器仪表技术文章： 高压设备保护节电器
• 下一篇仪器仪表技术文章： 数模转换过程中的频谱失真及其校正方法