;  栅极电源的平均功率P_AV为     P_AV=ΔV_GE×Q_G×f_s     另外，在大功率变频器IGBT驱动电路的设计中，还应该注意以下几个方面的问题：     （1）布线必须将驱动器的输出级和IGBT之间的寄生电感减至最低。这相当于将驱动器和IGBT之间连线所包围的环路面积减至最小。为此，一般情况下，将把驱动电路直接放置在大功率的开关功率器件上。     （2）必须正确放置栅极驱动板和屏蔽驱动电路，以防止功率电路和控制电路之间的电感耦合。     （3）栅极箝位保护电路也必须按低电感布线，并尽量放置于IGBT模块的栅极—发射极控制端子附近。     （4）由于IGBT的开通和关断会使相互电位改变，PCB板的线条之间不宜太过于接近。过高的dv/dt会由寄生电容耦合噪声，假如在布线时无法避免线条交叉或平行，必须采用屏蔽层以作保护。     （5）对于逆变桥上桥臂的功率器件栅极驱动电路之间，下桥臂的栅极驱动电路之间和控制电路之间的寄生电容可产生耦合噪声的问题，必须进行适当的测量，减低这些寄生电容。     （6）假如使用光耦合器用作隔离高边栅极驱动信号，其最小共模抑制比必须为10V/μs。     图5给出了作者设计的一个驱动板（包括开关电源）的实例照片。
图5    实现辅助开关驱动的实际电路 5  &nb

上一页  [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] 下一页

 

本文内容由全球仪器仪表MRO网_捌零零http://www.80017.cn/ 提供！

注:如果你的电脑不可以直接下载,请右键点击以上文字或'免费下载'图标,然后选目标另存为,进行下载保存

(本文来源：全球仪器仪表MRO网_捌零零)

• 上一篇仪器仪表技术文章： 高压设备保护节电器
• 下一篇仪器仪表技术文章： 数模转换过程中的频谱失真及其校正方法