式中：w为换能器线宽，t为YIG薄膜厚度，l₁为介质基片厚度，
　　
代入辐射电阻表达式，可知R_m是频率、磁场强度、薄膜的饱和磁化强度、YIG薄膜厚度、微带线宽和介质基片厚度的函数，即，代入上述参数，即可计算换能器的辐射电阻。 利用传输线模型进行插入损耗计算的完整的等效电路如图4所示^[3]。图中R_g为电源内阻，一般R_g=50Ω。因为： 　
由图知： 将（3）_~（7）式代入（2）式，得换能损耗：
　　

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