，H=7.164×10⁴A/m (900Oe)，M_s=1.39×10⁵A/m(1750Oe)，l₁=0.5mm，39.8A/m(0.5Oe)，YIG薄膜厚度t从0.02mm变化到0.08mm得到如图6所示的模拟结果。 3.2.2 YIG薄膜的铁磁共振线宽

　　由图6和图7可见，插入损耗随YIG薄膜厚度的增加而逐渐减小，当YIG膜厚达到一定范围以后趋于恒定；随YIG薄膜的增大而增大。所以在器件的实际制作过程中，适当的YIG膜厚度、小且位错缺陷少的YIG薄膜是静磁薄膜波器件的首选。

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