本文详细了介绍了德国ZMD公司的非易失性存储器（NvSRAM）的原理、种类及应用。德国ZMD公司的非易失性存储器采用SRAM+EEPROM方式，巧妙地将两种存储技术集成进一个芯片之中，降低了成本，提高了可靠性。本文除介绍芯片原理之外，还提供了参考框图。      关键词：ZMD，nvSRAM，非易失性存储器，掉电非易失   纵观目前低容量并行接口的非易失存储器市场，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占据了市场主流，其中EEPROM的供应厂家很多，其中以ATMEL，ST等厂家占主导地位，FRAM只有美国RAMTRON公司一技独秀，而采用SRAM+BAKBAT方式的厂家，目前DALLAS占据了大部分市场空间，国内也有几家公司提供类似产品，其中比较知名的如HK等。以上几种产品性能方面各有优缺，其中EEPROM的市场应用范围最为广泛，其缺点也是路人皆知，写入速度慢，至少10ms的写等待时间，而且写操作次数有限制；FRAM铁电存储器的优点在于其操作速度很快，能够达到标准SRAM的速度，而且写操作次数特别高，最低能够实现100亿次的写操作，但其读写时序与标准SRAM有差别，目前还没有做到完全兼容；采用SRAM+后备电池是一种传统而古老的非易失存储方式，这种方式由于DALLSA的大力推广又获得了新生，此方式的优点在于芯片能够与标准的SRAM完全兼容，而且操作速度非常快，但是缺点也是非常明显的，芯片体积很大，占据太多的电路板空间，而且芯片内部的电池存在使用环境的限制，并且如果电池电量耗尽，那么所有的数据都将丢失。   德国ZMD公司研发了采用另外一种方式的非易失性存储器nvSRAM，它采用了全新的SRAM+EEPROM方式，实现无须后备电池的非易失性存储，芯片接口、时序等与标准SRAM完全兼容。这样就方便用户直接替换DALLAS、HK等公司的同类产品，或者可以方便地将原来电路中的SRAM换成ZMD公司的nvSRAM，而无须更改电路。  

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