ZMD公司的nvSRAM有两种操作模式，SRAM模式与非易失性模式， 在SRAM模式中，存储器可以像普通的静态RAM一样操作，SRAM可以读写无限次，且读写访问时间小于25ns，所有的nvSRAM都是以字节方式组织的。 在非易失性模式中，数据从SRAM中保存进EEPROM中（STORE操作），或者从EEPROM回读至SRAM中（RECALL操作）。STORE和RECALL可能会按下面的方式开始： 1、在系统上电或者下电时，自动开始STORE或者RECALL操作。 2、通过软件序列或者硬件信号，由用户控制开始STORE或者RECALL操作。 一旦STORE和RECALL周期开始后，SRAM的进一步输入输出便被禁止，直至周期结束，片上的STORE和RECALL控制单元控制数据在SRAM与EEPROM之间转移 在任何时间，几毫秒之内SRAM中的数据就可以被存储于EEPROM中，数据可以写进EEPROM中至少10万次，从EEPROM中读出数据至SRAM中的次数是没有限制的，nvSRAM保证数据从上一次保存周期结束后可以至少保存45年以上，它保证在芯片调换时或者未来电压突然中断时，数据不会丢失。   目前ZMD公司的nvSRAM根据数据保存方式不同有四种类型，分别是HardStore，SoftStore，PowerStore，CapStore，每种不同的存储方式对应着不同的产品型号，以下对这几种方式做一个详细的说明与解释。 HardStore nvSRAM 控制管脚上的信号控制

上一页  [1] [2] [3] 下一页

 

本文内容由全球仪器仪表MRO网_捌零零http://www.80017.cn/ 提供！

注:如果你的电脑不可以直接下载,请右键点击以上文字或'免费下载'图标,然后选目标另存为,进行下载保存

(本文来源：全球仪器仪表MRO网_捌零零)

分享到： 百度搜藏 QQ空间 新浪微博 人人网 腾讯微博 开心网 腾讯朋友 搜狐微博 MSN

• 上一篇仪器仪表技术文章： 微型基板式液相色谱/电色谱系统研制成功
• 下一篇仪器仪表技术文章： 基于CPLD的容错存储器的设计实现