制造工艺、新产品开发、科技成果的工程化等方面提高了我国传感器的技术水平，促进了我国传感器产业的形成，缩小了与世界先进水平的差距。  

    2 在技术上，取得一批具有自主知识产权的成果  

　　通过攻关，在技术上有所创新，取得一批具有自主知识产权的科技成果，主要是：  

　　(1)复旦大学发明的掩膜-无掩膜腐蚀工艺为国际首创。不仅在实验上取得凸角处出现[311]面的基本规律，理论上也推导出新的底面条件和新生底面深度和位置的公式，开创了用腐蚀技术制造微结构的新工艺。利用KOH腐蚀液对于不同晶面腐蚀速率的差异，在理论和工艺上解决了采用一次掩膜技术形成三维多层微机械结构的工艺，多层结构层差控制精度在4／μm以内，转移平面的平整度优于1／tm，受理一项发明专利。  

　　(2)清华大学研制成功一种基于石英谐振器应变敏感效应的数字式力与称重传感器。研究了敏感元件的力敏特性、谐振器的能陷效应与谐振频率、谐波次数和结构的关系，保证了良好的频率稳定性。研制了专用胶粘剂，解决了影响传感器蠕变和滞后性能的关键工艺，提高了传感器性能指标及合格率。在国内外首创开发了系列化的下游应用产品——各类石英电子衡器。取得6项实用新型专利、一项发明专利，受理4项发明专利。  

　　(3)哈尔滨理工大学研制成功了"新型本征半导电高分子压力温度双参数传感器"，首次合成聚省醌自由基高聚物，这是一种压敏系数和温度系数极高的高分子材料，过材料表面处理等技术制成传感器，解决了油井高温潜油泵的温度和压力测量的难题。经过检索表明，新型本征高分子压力温度双参数传感器为国际首创，已经受理一项发明专利。  

　　(4)沈阳仪器仪表工艺研究所在国内首次解决了扩散硅力敏

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