。  

    4 共性关键技术研究提高了传感器行业的技术水平  

　　“九五”国家传感器科技攻关，在共性关键技术方面，主要解决了传感器CAD应用技术，关键制造工艺技术，微机械加工应用技术和可靠性技术的研究，并在传感器生产中得到应用和推广。  

　　(1)传感器CAD设计应用技术研究 使扩散硅压力传感器、差压传感器、多功能压力传感器、加速度传感器、霍尔磁敏元件和应变式传感器实现了CAD设计。从应力分析、版图设计、结构分析、图纸设计都实现计算机化。设计结果在生产工艺线得到实验验证，总符合率达到80％．力敏器件的平面工艺进行计算机模拟，确定了平面工艺中扩散、离子注入、氧化、再扩散等关键制造工艺的计算机模拟程序。提高了传感器的设计水平和新产品的自主开发能力。  

　　(2)扩散硅4"芯片生产工艺研究 在国内实现扩散硅传感器用4"硅片工艺进行生产，通过调整工艺参数，使硅压阻传感器的灵敏度温度漂移在-30-80℃的全温区内控制在0．5％FS之内，实现了灵敏度温度漂移免补偿。通过传感器性能参数稳定性的研究，使传感器的100h短期稳定性达到5ttV之内，保证年长期稳定性达到0．2％FS，达到国外同类产品的先进水平。批量生产的4"硅片的硅压阻芯片，管芯最小面积为1．2×1.2(mm)，合格率达85％．  

　　(3)InSb薄膜工艺技术研究 解决了用In、Sb单质蒸镀工艺，在磁性和非磁性基底上替代InSb单晶蒸镀制作多晶膜的工艺技术，降低了成本，提高了成品率。同时采用选择性湿法刻蚀工艺，特别是InSb-Au欧姆接触膜层的选择性刻蚀工艺制作电极。工艺成品率达到60％以上。用该InSb薄膜开发了3个品种13个规格的InSb霍尔元件，并进行批量生产。  

　　(4)在新型气湿敏超细粉料的研制方面，通过攻关，开发了Zr02-Y20，湿敏材料和NaSiCON固体电解质材料，应用这些材料，研制了400C的高温湿度传感器和平面内加热式C02气敏元件。  

　　(5)化学

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