芯片温度灵敏度自补偿工艺。通过调整平面工艺的掺杂工艺参数，实现了在-30-80C的全温区内，力敏芯片的灵敏度温度漂移控制在5％o之内，实现了扩散硅力敏芯片的灵敏度温度自补偿。  

　　(5)沈阳仪器仪表工艺研究所开发了高灵敏度InSb薄膜制备工艺，解决了高密度、高磁导率铁氧体基底磨抛工艺，In、Sb单质蒸镀工艺，敏感磨层微米级减薄工艺以及提高芯片灵敏度的掺杂工艺，研制的InSb薄膜完全能够满足制备高性能磁敏元件的需要。取得了两项实用新型专利和发明专利。  

    3 在开发上，使一批市场急需的传感器实现批量生产  

　　“九五”国家传感器科技攻关，对市场急需的传感器新产品进行了工程化研究和开发。通过国家支持、单位自筹、成果转让、技术入股等方式，建成12条中试生产线，使一批科技含量较高的传感器新产品实现适度规模的中试生产，主要有：  

　　(1)扩散硅压力传感器实现了3kPa～60MPa量程范围内的多个品种和规格的批量生产，产品有：工业变送器用压力传感器，智能变送器用多功能压力传感器，TO封装和充油结构的通用压力传感器。产品的性能指标，包括短期稳定性、长期稳定性、可靠性都达到国外同类产品的水平，开始批量供应市场。可以说，通过攻关，沈阳仪器仪表工艺研究所的扩散硅传感器的制造工艺已经成熟。并且在国内首次实现采用微机械加工的基本工艺，批量生产各类扩散硅压力传感器。  

　　(2)石英谐振称重传感器在清华大学研制成功，并开发成功1～15kg的各种电子衡器。多方投资1668万元，在深圳建立深圳清华传感器设备有限公司，进行批量中试生产，建成年产100万支石英谐振称重传感器和20万台电子衡器的中试生产线，产品大部分出口国外，2000年仅香港手提称和配料称的定单已有800万美元，2000年预计达到3000万元的销售收入。取得11项实用新型专利和发明专利。  

　　(3)华中理工大学研制成功高压系列和低压系列4个品种的过载保护PTC热敏电阻，并以技术入股的方式(25％)，在武汉高新技术开发区成立湖北中帮传感器公司，投资98

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